A Samsung Foundries valószínűleg újabb visszaeséssel néz szembe, miután elvesztette a Qualcomm üzletét a TSMC-vel szemben. A Businesspost.kr jelentése szerint a 3 nm-es folyamatcsomópont tömeggyártása késhet a gyenge hozamok miatt. Pedig a dél-koreai elektronikai óriás az iparágban elsőként alkalmazza a GAAFET (Gate all around FET) kialakítást a hagyományos FINFET (Fin FET) kialakítás helyett.
Az IC Nolridge piackutató cég szerint a Samsung a 3 nm-es node-ot kezdetben belső használatra fogja használni, vélhetően az Exynos 2200 utódjára (Exynos 2300). A Samsung eredeti útiterve szerint a 3 nm-es tömeggyártás 2022-ben indulna be, de ez jelenleg valószínűtlennek tűnik. A piackutató cég közölte: "Úgy tűnik, hogy a Samsung Electronics még mindig a 3 nanométerről újonnan bevezetett GAA (gate-all-around) eljárás technikai problémáit oldja meg, és az új technológiák versenytársakat megelőzve történő bevezetése alacsonyabb hozamokhoz és a tömeggyártás késedelméhez vezet."
A Samsung 3 nm-es eljárása azonban, ha egyszer tökéletes lesz, teljesen új szintre emelheti a számítástechnikát. A korábbi generációs csomópontokhoz képest 1,6-szor több tranzisztort képes beépíteni, és 35 százalékkal gyorsabb teljesítményre lesz képes, miközben 50 százalékkal kevesebb energiát fogyaszt. Amint a hozammal kapcsolatos problémákat megoldják, papíron képes lesz a TSMC-vel versenytfutni.
A Samsungnak azonban nincs sok ideje, hogy a TSMC utolérje a GAAFET-tranzisztorokkal. A TSMC 2 nm-es csomópontja GAAFET-dizájnt fog alkalmazni, és várhatóan 2025-re kerülhet tömeggyártásba. Az Intel Foundries ezzel szemben 2024-re tervezi 20A (2 nm-es) csomópontjának tömeggyártását.
Korábbi jelentések szerint a Samsung 3 nm-es alkatrészeket gyártana az AMD, a Qualcomm és néhány más vállalat számára. A Qualcomm azonban a Snapdragon 8 Gen 1 bukása után valószínűleg nem tér vissza egyhamar. Még az AMD is átállt a TSMC-re a Milan-X szerver CPU-k esetében.
